Зображення обкладинки

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	S. W. Lee, S. I. Vlaskina, V. I. Vlaskin, I. V. Zaharchenko, V. A. Gubanov, G. N. Mishinova, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. A. Podlasov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2010
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349120
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2011)

3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2011)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2017)

8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)

Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2013)

Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Nanocrystalline silicon carbide films for solar cells
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2016)

Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Silicon carbide LED
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)

Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: B. D. Shanina, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: V. N. Rodionov, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Amphoteric center of luminescence in CdS
за авторством: Artem'jeva, O. O., та інші
Опубліковано: (2005)

A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Luminescence of Dipole-centers in ZnSe crystals
за авторством: Alizadeh, M., та інші
Опубліковано: (2017)

On melting of silicon carbide under pressure
за авторством: P. S. Sokolov, та інші
Опубліковано: (2012)

Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)

Reliability of AC thick-film electroluminescent lamps
за авторством: Vlaskin, V., та інші
Опубліковано: (2009)

Research of the influence of silicon impregnation on the structure and properties of hot-pressed silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)

The silica and silicon luminescence induced by fast hydrogen ions
за авторством: Kalantaryan, O.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Polarization properties of the luminescence from silicon nanocrystals
за авторством: Diener, J., та інші
Опубліковано: (2000)

Production and properties of hot-pressed materials based on silicon carbide with additions of boron and titanium carbides
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2016)

A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Flexible electroluminescent panels
за авторством: Vlaskin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Microstructure and thermal conductivity of silicon infiltrated SiC-material
за авторством: V. H. Kulych, та інші
Опубліковано: (2023)