Intrinsic defects in nonstoichiometric b-SiC nanoparticles studied by pulsed magnetic resonance methods
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | D. V. Savchenko, A. Poppl, E. N. Kalabukhova, E. F. Venger, M. P. Gadzira, G. G. Gnesin |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2010
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349123 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Radiation modification of intrinsic defect structure of TiO2 films with nanoparticles of noble metals
за авторством: T. O. Busko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: T. O. Busko, та інші
Опубліковано: (2012)
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Ionic conductivity of nonstoichiometric samarium fluorides
за авторством: O. P. Ivanenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. P. Ivanenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Ionic conductivity of nonstoichiometric ytterbium fluorides
за авторством: N. M. Kompanichenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. M. Kompanichenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)
Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
Nano periodic structure forma-tion in 4H–SiC crystal using femtosecond laser double-pulses
за авторством: E. Kim, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: E. Kim, та інші
Опубліковано: (2018)
Nano periodic structure forma-tion in 4H–SiC crystal using femtosecond laser double-pulses
за авторством: Kim, E., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kim, E., та інші
Опубліковано: (2018)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)
Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)
Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)
Частичная квазибинарная эвтектика в системе B₄C−SiC
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)
Partial quasibinary eutectic in the system B4C−SiC
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2015)
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2015)
Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)
The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Structure and properties of directionally solidified alloy of B4–NbB2–SiC system
за авторством: M. I. Upatov, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. I. Upatov, та інші
Опубліковано: (2020)
Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)
Atomistic Computer Simulation of ABO3 (A = Ca; B = Zr, Ti, Sn) Perovskites: Crystal Structure, Intrinsic Point Defects and Dopant Formation
за авторством: V. S. Urusov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. S. Urusov, та інші
Опубліковано: (2012)
Atomic and electronic structure of a-SiC
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters
за авторством: Avdeev, S.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Avdeev, S.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)
External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
Study on lithium dihydrogen phosphate crystal growth conditions in nonstoichiometric solutions
за авторством: Iurchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Iurchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2014)
Kirchhoff and electron curvature indexes for SiC nanoclusters
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)
Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
Structure of photoluminescence DL-spectra and phase transformation in lightly doped SiC crystals and films
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014) -
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009) -
Radiation modification of intrinsic defect structure of TiO2 films with nanoparticles of noble metals
за авторством: T. O. Busko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013) -
Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)