Зображення обкладинки

Intrinsic defects in nonstoichiometric b-SiC nanoparticles studied by pulsed magnetic resonance methods

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	D. V. Savchenko, A. Poppl, E. N. Kalabukhova, E. F. Venger, M. P. Gadzira, G. G. Gnesin
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2010
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349123
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Peculiarities of phase transformations of SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of phase transformations in SiC crystals and thin films with in-grown original defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Radiation modification of intrinsic defect structure of TiO2 films with nanoparticles of noble metals
за авторством: T. O. Busko, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of Si Infiltration Method on the Biomorphous SiC Microstructure Properties
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)

Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)

Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at laser annealing
за авторством: O. O. Gavrylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Phonon-polariton excitations in MgZnO/6H-SiC structures
за авторством: O. V. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Ionic conductivity of nonstoichiometric samarium fluorides
за авторством: O. P. Ivanenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Ionic conductivity of nonstoichiometric ytterbium fluorides
за авторством: N. M. Kompanichenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Nano periodic structure forma-tion in 4H–SiC crystal using femtosecond laser double-pulses
за авторством: E. Kim, та інші
Опубліковано: (2018)

Nano periodic structure forma-tion in 4H–SiC crystal using femtosecond laser double-pulses
за авторством: Kim, E., та інші
Опубліковано: (2018)

Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)

Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)

Use of density functional theory for modeling optical properties of vacancy defects in nanoclusters of various SiC polytypes
за авторством: Zhikol, O.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)

Частичная квазибинарная эвтектика в системе B₄C−SiC
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)

Partial quasibinary eutectic in the system B4C−SiC
за авторством: D. A. Zakarjan
Опубліковано: (2015)

Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Structure and properties of directionally solidified alloy of B4–NbB2–SiC system
за авторством: M. I. Upatov, та інші
Опубліковано: (2020)

Atomistic Computer Simulation of ABO3 (A = Ca; B = Zr, Ti, Sn) Perovskites: Crystal Structure, Intrinsic Point Defects and Dopant Formation
за авторством: V. S. Urusov, та інші
Опубліковано: (2012)

Flux pinning and vortex dynamics in MgB₂ doped with TiO₂ and SiC inclusions
за авторством: Prokhorov, V.G., та інші
Опубліковано: (2009)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)

Atomic and electronic structure of a-SiC
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Study on lithium dihydrogen phosphate crystal growth conditions in nonstoichiometric solutions
за авторством: Iurchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2016)