Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | V. I. Bilozertseva, H. M. Khlyap, P. S. Shkumbatyuk, N. L. Dyakonenko, A. O. Mamaluy, D. O. Gaman |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2010
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349126 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties
за авторством: Bilozertseva, V.I., та інші
Опубліковано: (2010) -
Dependence of electrical conductivity on Bi₂Se₃ thin film thickness
за авторством: Menshikova, S.I., та інші
Опубліковано: (2017) -
The electrophysical and optical properties of gadolinium monoantimonide thin films
за авторством: Z. Jabua, та інші
Опубліковано: (2012) -
The electrophysical and optical properties of gadolinium monoantimonide thin films
за авторством: Jabua, Z., та інші
Опубліковано: (2012) -
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)