Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | V. A. Smyntyna, O. V. Sviridova |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2010
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349129 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2009) -
The Initial Part of the Vilna Chronograph: Scribes and Readers
за авторством: T. Vilkul
Опубліковано: (2014) -
Radiative processes of amorphization and hydrogenation in monocrystalline silicon
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2001) -
Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon
за авторством: Gutsulyak, B.I., та інші
Опубліковано: (2005)