Зображення обкладинки

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	V. A. Smyntyna, O. V. Sviridova
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2010
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349129
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2009)

Radiative processes of amorphization and hydrogenation in monocrystalline silicon
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2001)

The Initial Part of the Vilna Chronograph: Scribes and Readers
за авторством: T. Vilkul
Опубліковано: (2014)

Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon
за авторством: Gutsulyak, B.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)

A mechanism of diamond-abrasive finishing of monocrystalline silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2013)

Creation of spatial quantum filaments in the volume of monocrystalline silicon by the coulomb explosion
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon
за авторством: S. Zainabidinov, та інші
Опубліковано: (2017)

Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices
за авторством: Trubitsyn, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Numerical simulation of dynamic processes de-scribed by a pseudohyperbolic equation with conjugation conditions
за авторством: I. V. Sergienko, та інші
Опубліковано: (2004)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)

Life of deposited repair welds on monocrystalline heat-resistant nickel alloy under conditions of cyclic oxidation
за авторством: A. F. Beljavin, та інші
Опубліковано: (2014)

Ramseyan variations on symmetric subsequences
за авторством: Verbitsky, O.
Опубліковано: (2003)

The court case of the scribe of the Hrun hundred of the Gadyach regiment Yakov Chemkalskyi
за авторством: I. Petrenko, та інші
Опубліковано: (2024)

Ramseyan variations on symmetric subsequences
за авторством: Verbitsky, Oleg
Опубліковано: (2018)

Domain structure regularization in monocrystalline barium hexaferrite
за авторством: A. L. Nikytenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Domain structure regularization in monocrystalline barium hexaferrite
за авторством: Nikytenko, A.L., та інші
Опубліковано: (2018)

Luminescent and radiation characteristics of monocrystalline diamond powders
за авторством: O. G. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2019)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)

AFM Study of Surface of the Metallic Condensates on the Monocrystalline Silicon and Energy Parameters of Interface Interactions in the ‘Metallic Condensate—Semiconductor&#039; System
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2015)

Optical properties of submicron silicon oxide films after high-temperature processing
за авторством: V. V. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Polished surface roughness of optoelectronic components made of monocrystalline materials
за авторством: Ju. Filatov, та інші
Опубліковано: (2016)

The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)

The structure of oxide film on the porous silicon surface
за авторством: O. I. Zavalistyi, та інші
Опубліковано: (2020)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)

Thermoelectric property features of PbTe monocrystalline and polycrystalline films
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (1999)

Monopolar photoconductivity of the inversion layer and &quot;slow&quot;-surface levels in the structures of macroporous and monocrystalline silicon in condition of strong surface lighting
за авторством: N. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2018)

Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Microhardness of helium-ion implanted iron-yttrium granate monocrystalline films
за авторством: V. V. Kurovets, та інші
Опубліковано: (2012)

Biochemical mechanisms of fibrin clot formation and subsequent lysis regulation by platelets
за авторством: O. V. Revka
Опубліковано: (2018)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Scattering mechanisms of electrons in monocrystalline PbTe, PbSe and PbS
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2002)

Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)