Changes in the state of paramagnetic centers and lattice parameter of micro-structured Si under the influence of weak magnetic field

Changes in the state of paramagnetic centers and lattice parameter of micro-structured Si under the influence of weak magnetic field

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	V. V. Trachevsky, L. P. Steblenko, P. Y. Demchenko, O. V. Koplak, A. M. Kuryliuk, A. K. Melnik
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2010
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349132
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