Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	O. V. Tretyak, O. I. Kozonushchenko, K. V. Krivokhizha, A. S. Revenko
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2010
Назва видання:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349134
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Spin and current variations in Josephson junctions
за авторством: Shnirman, A., та інші
Опубліковано: (2004)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Volt-ampere characteristic and induced current in the external circuit of avalanche-generator diodes on the basis of the back displaced abrupt p–n-junctions
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Charge and spin currents in the ballistic SNS Josephson junction between p-wave superconductors
за авторством: Rashedi, G., та інші
Опубліковано: (2010)

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2017)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2012)

New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2008)

Nonlinear current resonance in the spin-torque diode with a planar magnetization
за авторством: N. E. Kulagin, та інші
Опубліковано: (2017)

Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2009)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
за авторством: O. V. Kozynets, та інші
Опубліковано: (2017)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
за авторством: A. V. Kozinetz, та інші
Опубліковано: (2017)

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)

Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
за авторством: P. M. Kruglenko
Опубліковано: (2017)

Microwave detectors based on the spin-torque diode effect
за авторством: Prokopenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Microwave detectors based on the spin-torque diode effect
за авторством: O. V. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
за авторством: Deiev, O.S., та інші
Опубліковано: (2013)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
за авторством: N. F. Karushkin, та інші
Опубліковано: (2016)

Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2006)

Anomalous temperature dependence of the stationary Josephson tunnel current in junctions between d-wave superconductors
за авторством: Gabovich, A.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Anomalous temperature dependence of the stationary Josephson tunnel current in junctions between d-wave superconductors
за авторством: A. M. Gabovich, та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Kinetics of current formation in molecular diode
за авторством: E. G. Petrov, та інші
Опубліковано: (2012)

Charge and spin effects in mesoscopic Josephson junctions (Review Article)
за авторством: Krive, I.V., та інші
Опубліковано: (2004)

The perfect spin injection in silicene FS/NS junction
за авторством: Tian, H.-Y., та інші
Опубліковано: (2017)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of preparation of CdTe p-n junctions and carrier transport in them
за авторством: A. T. Voroshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)