Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	O. V. Tretyak, O. I. Kozonushchenko, K. V. Krivokhizha, A. S. Revenko
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2010
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349134
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
von: Tretyak, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Spin and current variations in Josephson junctions
von: Shnirman, A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von: Borblik, V.L., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Volt-ampere characteristic and induced current in the external circuit of avalanche-generator diodes on the basis of the back displaced abrupt p–n-junctions
von: K. A. Lukin, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Modeling of thermal processes ohigh-frequency silicon p-i-n-diode
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Charge and spin currents in the ballistic SNS Josephson junction between p-wave superconductors
von: Rashedi, G., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Concerning the depletion width of a radial p-n junction and its influence on electrical properties of the diode
von: V. L. Borblik
Veröffentlicht: (2017)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
von: V. L. Borblik, et al.
Veröffentlicht: (2017)

New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells
von: Kopach, V.R., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
von: O. V. Kozynets, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Physical properties of sensor structures on the basis of silicon p−n junction with interdigitated back contacts
von: O. V. Kozynets, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Nonlinear current resonance in the spin-torque diode with a planar magnetization
von: N. E. Kulagin, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains
von: Borblik, V.L.
Veröffentlicht: (2009)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
von: O. V. Kozynets, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe
von: Izhnin, I.I., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction
von: A. V. Kozinetz, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
von: O. T. Bohorosh, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Microwave detectors based on the spin-torque diode effect
von: O. V. Prokopenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Microwave detectors based on the spin-torque diode effect
von: Prokopenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
von: Boltovets, N.S., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
von: V. L. Borblik
Veröffentlicht: (2019)

Impact of traps on current-voltage characteristic of n+-n-n+ diode
von: P. M. Kruglenko
Veröffentlicht: (2017)

Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors
von: Deiev, O.S., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Anomalous temperature dependence of the stationary Josephson tunnel current in junctions between d-wave superconductors
von: A. M. Gabovich, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Anomalous temperature dependence of the stationary Josephson tunnel current in junctions between d-wave superconductors
von: Gabovich, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Features of current-voltage characteristics inherent to GaP light-emitting diodes with quantum wells
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Charge and spin effects in mesoscopic Josephson junctions (Review Article)
von: Krive, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Kinetics of current formation in molecular diode
von: E. G. Petrov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Millimeter wave p—i—n-diode switching controlled devices
von: N. F. Karushkin, et al.
Veröffentlicht: (2016)

The perfect spin injection in silicene FS/NS junction
von: Tian, H.-Y., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
von: A. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
von: Sukach, A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Humidity Diode Sensors Based on 1D Nanosized Silicon Structures
von: Ya. O. Linevych, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
von: Borblik, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)