Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | V. Osinsky, O. Dyachenko |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2010
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349234 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
за авторством: Osinsky, V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016) -
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016) -
The investigation of luminescence properties of nitride-based heterostructures, containing superlattice
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2014) -
Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)