Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | A. Misiuk, A. Barcz, A. Ulyashin, I. V. Antonova, M. Prujszczyk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2010
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349239 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (1999)
Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Defekty v Si:N, obrabotannom pry vysokykh temperaturakh y davlenyiakh, proiavliaiushchyesia v rezultate travlenyia v deiteryevoi plazme
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010)
The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2008)
Silicon based materials for spintronics prepared by implantation and temperature - (pressure) treatment
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2008)
Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
за авторством: I. M. Vikulin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. M. Vikulin, та інші
Опубліковано: (2018)
Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
за авторством: V. A. Pilipenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. A. Pilipenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Analyzing silicon for the content of oxygen, nitrogen and hydrogen impurities
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of plasma treatment on erosion haracteristics and structure of reversible hydrogen getters
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2000)
Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature–pressure
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Bak-Misiuk, J., та інші
Опубліковано: (2009)
Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: J. Bak-Misiuk, та інші
Опубліковано: (2009)
Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. Sarikov, та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of getter additions on hydrogen- induced embrittlement of welded joints on structural materials of NPP equipment
за авторством: V. M. Azhazha, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. M. Azhazha, та інші
Опубліковано: (2010)
Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Electrical and light-emitting properties of silicon dioxide co-implanted by carbon and silicon ions
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2008)
Improving parameters of planar pulse diode using gettering
за авторством: V. M. Lytvynenko, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. M. Lytvynenko, та інші
Опубліковано: (2021)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of divacancy-oxygen defects on recombination properties of n-Si subjected to irradiation and subsequent annealing
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Krasko, та інші
Опубліковано: (2018)
Boron, aluminum, nitrogen, oxygen impurities in silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Frequencies of normal vibrations of oxygen complexes on silicon (111) face
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2014)
Conditions for spherical detonation in hydrogen-oxygen mixture
за авторством: M. M. Polatayko
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. M. Polatayko
Опубліковано: (2013)
Conditions for spherical detonation in hydrogen-oxygen mixture
за авторством: M. M. Polataiko
Опубліковано: (2013)
за авторством: M. M. Polataiko
Опубліковано: (2013)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Combination of Electro- and Radiochemical Processes for Hydrogen and Oxygen Obtaining
за авторством: V. V. Solovei, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. V. Solovei, та інші
Опубліковано: (2023)
Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
за авторством: Okhrimenko, O.B.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Okhrimenko, O.B.
Опубліковано: (2014)
Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2014)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of high temperature annealing on the structure and the intrinsic absorption edge of thin-film silicon doped with tin
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Combination of Electro- and Radiochemical Processes for Hydrogen and Oxygen Obtaining
за авторством: Соловей, В. В., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Соловей, В. В., та інші
Опубліковано: (2024)
Combination of Electro- and Radiochemical Processes for Hydrogen and Oxygen Obtaining
за авторством: Соловей, В. В., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Соловей, В. В., та інші
Опубліковано: (2024)
Computer Modeling of Chemical Equilibriums in Ternary System Carbon - Hydrogen - Oxygen
за авторством: V. P. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. P. Bondarenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Theoretical evaluation of the temperature field distribution in the silicon periodic nanostructures during thermal annealing
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. O. Havryliuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Diagnostics of hydrogen-oxygen plasma jet for application in gas thermal spraying
за авторством: Yu. S. Popil, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Yu. S. Popil, та інші
Опубліковано: (2020)
Схожі ресурси
-
Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (1999) -
Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001) -
Defekty v Si:N, obrabotannom pry vysokykh temperaturakh y davlenyiakh, proiavliaiushchyesia v rezultate travlenyia v deiteryevoi plazme
за авторством: A. Misiuk, та інші
Опубліковано: (2010) -
The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation
за авторством: F. F. Komarov, та інші
Опубліковано: (2008) -
Silicon based materials for spintronics prepared by implantation and temperature - (pressure) treatment
за авторством: Misiuk, A., та інші
Опубліковано: (2008)