Model of heterotransistor with quantum dots
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | V. I. Timofeyev, E. M. Faleyeva |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2010
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349245 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: Timofeyev, V.I., та інші
Опубліковано: (2010) -
Modelling of Electron States in Conical Quantum Dots
за авторством: N. L. Sosnytska, та інші
Опубліковано: (2019) -
Modelling of Electron States in Conical Quantum Dots
за авторством: Сосницька, Наталя Леонідівна, та інші
Опубліковано: (2019) -
Exciton in closed and opened quantum dot
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2007) -
Polaron in cylindrical and spherical quantum dots
за авторством: Fai, L.C., та інші
Опубліковано: (2004)