Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | R. A. Mumimov, Sh. K. Kanyazov, A. K. Saymbetov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2010
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349316 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures
за авторством: Mumimov, R.A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Relaxation of photoconductivity in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2018) -
Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2017) -
Peculiarities of surface photoconductivity relaxation in the structures of macroporous silicon in the visible spectrum
за авторством: M. I. Karas, та інші
Опубліковано: (2020) -
Long-term relaxation of photoconductivity in cadmium doped Gd₂S₃ films
за авторством: Jabua, Z.U., та інші
Опубліковано: (2011)