Electro-optic effect in GaN/Al0. 15Ga0. 85N single quantum wells for optical switch
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | A. Elkadadra, D. Abouelaoualim, A. Oueriagli, A. Outzourhit |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2010
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349330 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)
Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Ye. Bieliaiev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. V. Naumov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
von: Akinlami, J.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Akinlami, J.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Srystal structure of the YNi0.83Ga1.17 and YNiIn0.15Ga0.85 compounds
von: M. Horiacha, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: M. Horiacha, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: T. I. Mosiuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Strain effects on the valence band structure, optical transitions, and light gain spectrums in zinc-blende GaN quantum wells
von: Lokot, L.O.
Veröffentlicht: (2008)
von: Lokot, L.O.
Veröffentlicht: (2008)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: V. V. Kaliuzhnyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)
The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Boichuk, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
Hartree−Fock problem of electron-hole pair in quantum well GaN
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2013)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: A. G. Golenkov, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
von: Golenkov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Golenkov, A.G., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
von: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Kaliuzhnyi, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: M. Bataev, et al.
Veröffentlicht: (2011)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
von: Bletskan, D.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Bletskan, D.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Influence the cationic substitution in AgGaGe₃Se₈ on the electro-optical, IR optical and nonlinear properties
von: Krymus, A.S., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Krymus, A.S., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
von: Shashikala, B.N., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Shashikala, B.N., et al.
Veröffentlicht: (2021)
One-dimensional warm electron transport in GaN quantum well wires at low temperatures
von: Sarkar, S.K.
Veröffentlicht: (2003)
von: Sarkar, S.K.
Veröffentlicht: (2003)
Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Naumov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Оптична поляризаційна анізотропія, внутрішній ефект Штарка квантового конфайнменту і вплив кулонівських ефектів на лазерні характеристики [0001]-орієнтованих GaN/Al0,3Ga0,7N квантових ям
von: Lokot, L.O.
Veröffentlicht: (2012)
von: Lokot, L.O.
Veröffentlicht: (2012)
Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. I. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Optical parameters of As-deposited and annealed (Ga0.3In0.7)2Se3 thin films
von: M. Pop, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: M. Pop, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Optical parameters of As-deposited and annealed (Ga0.3In0.7)2Se3 thin films
von: M. Pop, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: M. Pop, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)
Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Ähnliche Einträge
-
Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
von: Elkadadra, A., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012) -
Optical polarization anisotropy, intrinsic Stark effect and Coulomb effects on the lasing characteristics of |0001|-oriented GaN/Al0.3Ga0.7N quantum wells
von: L. O. Lokot
Veröffentlicht: (2012) -
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
von: H. Sghaier, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2014)