Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO2 structure
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | I. R. Yatsunskiy, O. A. Kulinich |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2010
|
Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349387 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure
за авторством: Yatsunskiy, I.R., та інші
Опубліковано: (2010) -
Vacuum wetting of SiO2-ceramics by silicon—containing melts
за авторством: V. V. Poluianska, та інші
Опубліковано: (2016) -
Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Role of silicon oxide defects in emission process of Si-SiO₂ systems
за авторством: Baran, M., та інші
Опубліковано: (2003) -
Interaction of Red Blood Cells with Fumed SiO2, Al2O3/SiO2 and TiO2/SiO2 by Light Scattering Measurements
за авторством: Gerashchenko, I.I., та інші
Опубліковано: (2010)