Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO2 structure
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | I. R. Yatsunskiy, O. A. Kulinich |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2010
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349387 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Complex destruction of near-surface silicon layers of Si-SiO₂ structure
за авторством: Yatsunskiy, I.R., та інші
Опубліковано: (2010) -
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
за авторством: Kulinich, О. А., та інші
Опубліковано: (2012) -
Vacuum wetting of SiO2-ceramics by silicon—containing melts
за авторством: V. V. Poluianska, та інші
Опубліковано: (2016) -
Role of silicon oxide defects in emission process of Si-SiO₂ systems
за авторством: Baran, M., та інші
Опубліковано: (2003) -
Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)