Electrical properties of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterostructure
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | P. M. Gorley, Z. M. Grushka, O. G. Grushka, P. P. Gorley, I. I. Zabolotsky |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2010
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349394 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2010) -
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019) -
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019) -
Direct current transport mechanisms in n-InSe/p-CdTe heterostructure
за авторством: Gorley, P.M., та інші
Опубліковано: (2008) -
Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: Orletskyi, I. G., та інші
Опубліковано: (2019)