Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | N. A. Vlasenko, N. V. Sopinskij, E. G. Gule, L. I. Veligura, Ja. Bratus, R. S. Melnik, Z. L. Denisova, M. A. Mukhlo |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2010
|
| Schriftenreihe: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363613 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Optical study of thermally induced phase separation in evaporated SiOx films
von: Indutnyy, I.Z., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures
von: K. V. Michailovska, et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Temperature and laser annealing of nonstoichiometric SiOx films
von: O. O. Havryliuk, et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Electron field emission from SiOx films
von: Evtukh, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx
von: Данько, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)