Effect of surface conductivity on electrical properties of mesa-structure InAs p—n-junctions
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | A. V. Sukach, V. V. Tetorkin, I. O. Mazarchuk, M. M. Krolevets, V. I. Lukianenko, I. H. Lutsyshyn |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
2010
|
| Schriftenreihe: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
| Online Zugang: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363617 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASÄhnliche Einträge
-
Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodi-odes
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2011) -
InAs photodiodes (review)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)