Doping of a thermoelectric material by electroactive impurities
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | I. I. Pavlovych, O. I. Kopyl, V. M. Tomashyk |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2010
|
Назва видання: | Optoelectronics and Semiconductor Technique |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000363618 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Automated complex for research of electroactive centers in solids using the technique of thermally stimulated depolarization
за авторством: B. P. Koman
Опубліковано: (2016) -
Effect of doping in n-ZrNiSn intermetallic semiconductor with Bi donor impurity on thermoelectric power factor Z*
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2012) -
Thermoelectricity of lead telluride doped with Sb and Bi
за авторством: M. O. Galuschak, та інші
Опубліковано: (2014) -
The Energy Spectrum of Graphene Doped with Nitrogen Impurity
за авторством: S. P. Repetskyi, та інші
Опубліковано: (2014) -
Thermoelectric properties of bismuth-doped tin telluride SnTe:Bi
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2016)