The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автор: | O. O. Balytskyi |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2010
|
Назва видання: | Materials Science (Physicochemical mechanics of materials) |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000657311 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017) -
Electrical properties of monoselenide of india doped with vanadium selenide
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2018) -
Using electrochemical method based on copper indium gallium diselenide for solar cells industrial manufacture
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012) -
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)