The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автор: | O. O. Balytskyi |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2010
|
| Назва видання: | Materials Science (Physicochemical mechanics of materials) |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000657311 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical properties of monoselenide of india doped with vanadium selenide
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Using electrochemical method based on copper indium gallium diselenide for solar cells industrial manufacture
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012)
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)
Simulation and Diagnostics of Strains in the Subsurface Layers of Gadolinium—Gallium Garnet Single Crystals Implanted with F+ Ions
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of γ-irradiation on kinetic effects in indium-alloyed cadmium antimonide single crystals
за авторством: Koval, Yu.V.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Koval, Yu.V.
Опубліковано: (2006)
Transverse chemomagnetic EDS in indium phosphide upon interaction with atomic hydrogen
за авторством: V. V. Styrov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. V. Styrov, та інші
Опубліковано: (2011)
Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)
On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
Indium admixture influence on photo-voltaic properties of slanting deposited films CdTe
за авторством: M. A. Karimov, та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: M. A. Karimov, та інші
Опубліковано: (2005)
Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
Low-dimensional structures on the surface of indium phosphide
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
Influence of low nickel contents on the surface tension and density of nickel–indium melts
за авторством: S. I. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2017)
Influence of low nickel contents on the surface tension and density of nickel–indium melts
за авторством: S. I. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. I. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2017)
Dependences of thermoelectric properties on the thickness of thin films of indium doped lead telluride
за авторством: S. I. Menshikova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. I. Menshikova, та інші
Опубліковано: (2014)
Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)
Structure and short range order of liquid gallium
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: R. Bilyk, та інші
Опубліковано: (2017)
Effect of charge ordering on the thermoEMF of layered crystals in a quantizing magnetic field
за авторством: P. V. Gorsky
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. V. Gorsky
Опубліковано: (2012)
Investigation of defective structure of indium phosphide on the edges of digestion
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)
Complex index of refraction of indium nitride InN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
Hardening of magnesium alloy ML4 in alloying with gallium
за авторством: M. A. Khokhlov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: M. A. Khokhlov, та інші
Опубліковано: (2017)
Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)
High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)
Electron transport, low-temperature electrical and galvanomagnetic properties of zinc oxide and indium oxide films
за авторством: V. A. Kulbachinskij, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. A. Kulbachinskij, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of pressure on the electrophysical properties of the interface layer of heterocontacts based on layered crystals
за авторством: M. O. Vorobets
Опубліковано: (2008)
за авторством: M. O. Vorobets
Опубліковано: (2008)
Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)
Technological bases forming porous space surface phosphide indium
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2014)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
Indium antimonide nanowires arrays for promising thermoelectric converters
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2015)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
Charge transport in bismuth orthogermanate crystals
за авторством: T. M. Bochkova, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: T. M. Bochkova, та інші
Опубліковано: (2011)
Charge transport in bismuth orthogermanate crystals
за авторством: Bochkova, T.M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Bochkova, T.M., та інші
Опубліковано: (2011)
Extraction of charges from beneath the surface of liquid hydrogen
за авторством: Levchenko, A.A., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Levchenko, A.A., та інші
Опубліковано: (1996)
Andreev-reflection spectroscopy with superconducting indium — a case study
за авторством: Gloos, K., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Gloos, K., та інші
Опубліковано: (2013)
Andreev-reflection spectroscopy with superconducting indium - a case study
за авторством: K. Gloos, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: K. Gloos, та інші
Опубліковано: (2013)
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Low temperature modification of copper layer under the influence of atomic hydrogen
за авторством: E. L. Zhavzharov, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: E. L. Zhavzharov, та інші
Опубліковано: (2006)
Схожі ресурси
-
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017) -
Electrical properties of monoselenide of india doped with vanadium selenide
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Using electrochemical method based on copper indium gallium diselenide for solar cells industrial manufacture
за авторством: Ye. I. Sokol, та інші
Опубліковано: (2012) -
The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017) -
Simulation and Diagnostics of Strains in the Subsurface Layers of Gadolinium—Gallium Garnet Single Crystals Implanted with F+ Ions
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)