Triple Cr–Ga–Si system at 870 K
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | Ya. Liutyi, Ya. O. Tokaichuk, A. O. Fedorchuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2010
|
| Назва видання: | Materials Science (Physicochemical mechanics of materials) |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000657313 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Потрійна система Cr–Ga–Si при 870 K
за авторством: Лютий, П.Я., та інші
Опубліковано: (2010) -
Interaction of components in the system Tb—Mn—In at 870 K
за авторством: Ye. Demchyna, та інші
Опубліковано: (2011) -
Phase formation and crystal structure of LaCu13–xSix compounds at 870 K
за авторством: L. O. Fedyna, та інші
Опубліковано: (2020) -
The RCuIn1–xGax (R = La, Ce) systems at 870 K
за авторством: N. Zaremba, та інші
Опубліковано: (2021) -
Snyder Space-Time: K-Loop and Lie Triple System
за авторством: Girelli, F.
Опубліковано: (2010)