Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автор: | L. O. Olimov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2010
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877912 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013) -
Switching of current and voltage when heating non-transition polycrystalline silicon doped with alkali metals in the region of grain boundaries
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2014) -
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015) -
Grain boundaries and their influence on the properties of polycrystalline materials. Part 2.
за авторством: O. D. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2018)