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Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
1. Verfasser:	L. O. Olimov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2010
Schriftenreihe:	Physical surface engineering
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877912
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