Features of carrier scattering by intercrystalline potential barriers formed by electron surface states in polycrystalline semiconductors
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | Sh. B. Atakulov, S. M. Zajnolobidinova, S. M. Otazhonov, O. A. Tukhtamatov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2010
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000877943 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Sologub, та інші
Опубліковано: (2015) -
Surface scattering of charge carriers and surface electronic states
за авторством: S. V. Solohub, та інші
Опубліковано: (2015) -
Effect of surface electron structure variations on the surface scattering of current carriers
за авторством: Panchenko, O.A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Scattering matrix in the DKP theory. Barrier potential case
за авторством: B. Boutabia-Chйraitia, та інші
Опубліковано: (2014)