Peculiarities of changes in the structure and electrophysical characteristics of n-Si under the effect of various thermal treatment regimes
Збережено в:
Дата: | 2020 |
---|---|
Автор: | H. P. Haidar |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2020
|
Назва видання: | Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001100801 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018) -
Influence of ultrasound treatment and dynamic (in-situ) ultrasound loading on the temperature hysteresis of electrophysical characteristics in irradiated n-Si–Fz
за авторством: Babych, V.М., та інші
Опубліковано: (2009) -
The effect of modification diamond nanopowders detonation synthesis to change their electrokinetic and electrophysical characteristics
за авторством: H. A. Bazalii, та інші
Опубліковано: (2020) -
Electrophysical characteristics of large-size aSi-Si(Li) detector heterostructures
за авторством: R. A. Muminov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Electrophysical characteristics of large-size αSi-Si(Li) detector heterostructures
за авторством: Muminov, R.A., та інші
Опубліковано: (2012)