CdZnTe sensors for X-ray measurements
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | A. V. Rybka, A. A. Zakharchenko, L. N. Davydov, I. N. Shljakhov, A. A. Blinkin, K. V. Kutnij |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2006
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455220 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Evolution of the time and spatial photoresponse instabilities of the sensors based on CdZnTe crystals
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Photostimulated passivation of spectrometric CdZnTe detectors
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Experimental model of multidetector device based on CdZnTe detectors
за авторством: Batiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Batiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Колімований гамма-спектрометр на основі CdZnTe-детектора
за авторством: Батій, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Батій, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2014)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)
Reconstruction of energy dependence of the sensitivity of CdZnTe- and TlBr-detectors through the restricted data
за авторством: Skrypnyk, A.I.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Skrypnyk, A.I.
Опубліковано: (2014)
CdZnTe- and TlBr-detectors response simulation for registration of the mixed beta- and gamma-radiation
за авторством: A. I. Skrypnik
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. I. Skrypnik
Опубліковано: (2015)
Detectors based on Cd(Zn)Te semiconductors for x-ray and gamma radiation registration
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
Разработка дозиметрических и спектрометрических блоков регистрации γ-излучения на основе полупроводниковых соединений CdTe (CdZnTe) для АЭС Украины
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2021)
nvestigations of near dislocation clusters of point defects in CdZnTe crystals by using the Hall method under the ultrasound loading the crystals
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2017)
ZnTe-based UV sensors
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2016)
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)
Electronic properties of CdTe and ZnTe strained layers in heterostructures
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. M. Balabai, та інші
Опубліковано: (2011)
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Електронні властивості напружених шарів CdTe та ZnTe у гетероструктурах
за авторством: Балабай, Р.М., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Балабай, Р.М., та інші
Опубліковано: (2011)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Room-temperature gas sensor based on semiconductor nanoscale heterostructures ZnS/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Ultraviolet sensors based on ZnxCd1 – xS solid solutions
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2019)
The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
The Spectra of X-ray and photoluminescence of high-resistance crystals of ZnSe
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Alizadeh, та інші
Опубліковано: (2018)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
X-ray phase and structural study of Ce–Zn–Ga alloys
за авторством: Yu. V. Verbovytskyy
Опубліковано: (2024)
за авторством: Yu. V. Verbovytskyy
Опубліковано: (2024)
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
Ultraviolet sensors based on ZnxCd1 – xS solid solutions
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Yu. Pavelets, та інші
Опубліковано: (2019)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Схожі ресурси
-
Evolution of the time and spatial photoresponse instabilities of the sensors based on CdZnTe crystals
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009) -
Photostimulated passivation of spectrometric CdZnTe detectors
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008) -
Experimental model of multidetector device based on CdZnTe detectors
за авторством: Batiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2005) -
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019) -
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)