Research of the photo-electric characteristics microphototerminal
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | A. V. Karimov, D. M. Jodgorova, U. M. Buzrukov, M. A. Mirdzhalilova, Sh. Sh. Boltaeva |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2006
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455222 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
за авторством: U. M. Buzrukov
Опубліковано: (2005) -
Research of dependence of the target characteristics of the field transistor
за авторством: D. M. Jodgorova
Опубліковано: (2005) -
Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018) -
Indium admixture influence on photo-voltaic properties of slanting deposited films CdTe
за авторством: M. A. Karimov, та інші
Опубліковано: (2005) -
Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)