Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | V. N. Katerinchuk, M. Z. Kovaljuk |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2006
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455225 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)
Study on Cu2ZnSnSe4 crystals and heterojunctions on their basis
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2018)
Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2007)
Electrical and photoelectrical properties of a-SICN/c-SI heterojunctions
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2013)
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2012)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
Charge-transfer processes in (SnS)1 – x(PrS)x Alloys
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. I. Abbasov, та інші
Опубліковано: (2017)
Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Electrical properties of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterostructure
за авторством: P. M. Gorley, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: P. M. Gorley, та інші
Опубліковано: (2010)
Photoelectrical analysis of n-TiO2/p-CdTe heterojunction solar cells
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Brus, та інші
Опубліковано: (2013)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe < RbNO3>
за авторством: V. V. Netjaga, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Netjaga, та інші
Опубліковано: (2018)
Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)
Scientific contacts of ukrainian folklorists on the edge of the KhIKh and KhKh centuries
за авторством: H. Sokil
Опубліковано: (2015)
за авторством: H. Sokil
Опубліковано: (2015)
Створення гетероструктури n-InSe-графіт
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)
The sekh of offspring as a factor of parents aggression phenotypes plasticity
за авторством: M. V. Shustikova
Опубліковано: (2016)
за авторством: M. V. Shustikova
Опубліковано: (2016)
Necklace in the complex of decorations of rusyns and romanians of the Bukovina of the KhIKh—KhKh centuries
за авторством: O. Fedynchuk
Опубліковано: (2017)
за авторством: O. Fedynchuk
Опубліковано: (2017)
Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)
The periods and peculiarities of development of Oriental Studies in Odessa at the middle KhIKh–KhKh centuries
за авторством: D. P. Ursu, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. P. Ursu, та інші
Опубліковано: (2013)
Isovalent substitution of the anionic sublattice of phases with general composition KSrVi2(PO4)3-kh(VO4)x (kh = 0÷3.0)
за авторством: Yu. Strutynska, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Yu. Strutynska, та інші
Опубліковано: (2020)
The Goncharovka of Baturin in KhVII – KhVIII century
за авторством: N. Saienko
Опубліковано: (2015)
за авторством: N. Saienko
Опубліковано: (2015)
Structural features and magnetic properties of modified hexaferrite BaFe12–2khSokh/Si, Sn, Ti/khO19±g
за авторством: E. D. Soloveva, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. D. Soloveva, та інші
Опубліковано: (2013)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Physical punishment of officials in the Russian Empire (according to laws of the late KhVIII – early KhKh century)
за авторством: V. Shandra
за авторством: V. Shandra
Thermoelectric figure of merit of TlIn1-xYbxTe2 (0 kh 0.10)
за авторством: F. F. Aliev, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: F. F. Aliev, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)
Structural, energy and kinetic characteristics of Hf1-khLuxNiSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2014)
Research on the features of conduction mechanisms in Hf1-khTmxNiSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2015)
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009) -
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012) -
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003) -
Study on Cu2ZnSnSe4 crystals and heterojunctions on their basis
за авторством: T. T. Kovaljuk, та інші
Опубліковано: (2018) -
Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)