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The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2002
Hauptverfasser:	F. D. Kasimov, M. R. Ragimov
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2002
Schriftenreihe:	Technology and design in electronic equipment
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455306
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