The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | F. D. Kasimov, M. R. Ragimov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2002
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455306 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999) -
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013) -
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019) -
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019) -
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)