The negatronic elements on the basis of local polycrystalline silicon films
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | F. D. Kasimov, M. R. Ragimov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2002
|
| Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455306 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999)
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)
Research of the influence of siliconizing on the structure and properties of hot-pressed polycrystalline silicon carbide
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. V. Ivzhenko, та інші
Опубліковано: (2018)
Thermoelectric property features of PbTe monocrystalline and polycrystalline films
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (1999)
Analysis of Fracture Behavior of Thin Polycrystalline Diamond Films
за авторством: D. S. Li, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. S. Li, та інші
Опубліковано: (2014)
Analysis of Fracture Behavior of Thin Polycrystalline Diamond Films
за авторством: Li, D.S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Li, D.S., та інші
Опубліковано: (2014)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
Microstructure of intergranular boundaries in polycrystalline silicon and its effect on the transport of charge carriers
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: B. M. Abdurakhmanov, та інші
Опубліковано: (2010)
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2010)
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. H. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2015)
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Internal structure parameters and synthesis conditions of polycrystalline diamond films
за авторством: Samsonenko, S.N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Samsonenko, S.N., та інші
Опубліковано: (2007)
Kinetic size effects in multilayer films with a polycrystalline structure
за авторством: A. H. Basov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: A. H. Basov, та інші
Опубліковано: (2010)
Properties of diamond polycrystalline composite material obtained in the diamond-graphene-silicon system
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. A. Shulzhenko, та інші
Опубліковано: (2017)
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Melting of polycrystalline lead and bismuth films on amorphous carbon substrates
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012)
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
Quasi-Classical and Quantum Charge Transfers in Polycrystalline a-Mn Films of Nanometre Thickness
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: R. I. Bihun, та інші
Опубліковано: (2015)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)
In Situ TEM Investigation of Homogenization Kinetics of Polycrystalline Ag—Pd Film System
за авторством: A. P. Kryshtal, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. P. Kryshtal, та інші
Опубліковано: (2014)
Surface reconstruction of polycrystalline gold films under the influence of thermal annealing
за авторством: E. V. Kostjukevich, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. V. Kostjukevich, та інші
Опубліковано: (2013)
Mechanism of photocurrent amplification in injection photodiodes based on a photosensitive polycrystalline CdS film
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2015)
The process of forming the polycrystalline silicon wafer from the powder raw material and analyzing the impurity composition of their surface
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2011)
Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Autowaves of Plastic Flow Localization and Hall—Petch Relationship in Polycrystalline Al
за авторством: L. B. Zuev, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: L. B. Zuev, та інші
Опубліковано: (2013)
Performance improvement of silicon solar cells by nanoporous silicon coating
за авторством: Dzhafarov, T.D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dzhafarov, T.D., та інші
Опубліковано: (2012)
High-temperature injection spectroscopy of deep traps in CdTe polycrystalline films
за авторством: Opanasyuk, A.S., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Opanasyuk, A.S., та інші
Опубліковано: (2003)
Using micro- and nanodispersive diamonds for deposition of polycrystalline diamond films in glow discharge
за авторством: I. I. Vyrovets, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: I. I. Vyrovets, та інші
Опубліковано: (2007)
Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Kaganovich, E.B., та інші
Опубліковано: (2002)
Switching of current and voltage when heating non-transition polycrystalline silicon doped with alkali metals in the region of grain boundaries
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2014)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Electrical properties of silicon-oxide heterostructures on the basis of porous silicon
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. B. Olenych, та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films
за авторством: Mamikonova, V.M., та інші
Опубліковано: (1999) -
Grain Boundary Junctions in Polycrystalline Silicon Films
за авторством: O. T. Bohorosh, та інші
Опубліковано: (2013) -
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019) -
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019) -
Electrical properties intergranular boundaries in the volume of polycrystalline silicon
за авторством: L. O. Olimov, та інші
Опубліковано: (2013)