The structure peculiarities of semiconductor vibration-frequency sensors
Збережено в:
Дата: | 1998 |
---|---|
Автори: | R. I. Bajtsar, V. S. Rak |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
1998
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000455336 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Frequency multipliers on semiconductor diode structures
за авторством: N. F. Karushkin
Опубліковано: (2018) -
Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (1999) -
Individuality of photoresponse dynamics of semiconductor sensors
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2017) -
Hereditary functional individuality of semiconductor sensors
за авторством: Migal, V.P., та інші
Опубліковано: (2015) -
Geometrization of the temporal photoresponse from the semiconductor sensor materials
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2012)