Mathematical model of inductor field effect on coefficient of impurity distribution in silicon
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | S. G. Egorov, I. F. Chervonyj, R. N. Voljar |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2009
|
| Назва видання: | Electrometallurgy Today |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000466672 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Mathematical model of a two-machine induction motor with rotating inductor
за авторством: V. V. Lutso, та інші
Опубліковано: (2019) -
Mathematical modelling of transients in the electric drive of the turnout of the mono-sleeper type with switched-inductor motor
за авторством: Buriakovskyi, S. G., та інші
Опубліковано: (2021) -
Zn and Mn impurity effect on electron and luminescent properties of porous silicon
за авторством: Primachenko, V.E, та інші
Опубліковано: (2005) -
Integrated through-silicon-via-based inductor design in buck converter for improved efficiency
за авторством: Namoune, A., та інші
Опубліковано: (2023) -
The linear non-iron inductor with rotating magnetic field
за авторством: A. N. Karlov, та інші
Опубліковано: (2018)