Atomic composition calculation of A3V5 graded band structures for white diodes
Збережено в:
Дата: | 2003 |
---|---|
Автори: | V. G. Verbitskij, S. V. Osinskij, A. V. Sarikov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2003
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849723 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Ionic stimulation of receipt the hard solutions InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v for white light diode sources
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2004) -
Formation of atomic composition of A3B5 heterostructures at ionized beam epitaxy
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2004) -
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012) -
Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: Storozhenko, I.P., та інші
Опубліковано: (2012)