The photo-sensitivity of APV-films in hethero-structures consisting of CDTE-SiO2-Si under action of external electric field
Збережено в:
Дата: | 2004 |
---|---|
Автор: | S. M. Otazhonov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2004
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849730 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009) -
The theory of APV effect with dember mechanisms in semiconductor films
за авторством: G. A. Nabiev
Опубліковано: (2008) -
Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012) -
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO₂(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: Steblova, O.V., та інші
Опубліковано: (2014) -
Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктре p-CdTe-SiO2-Si
за авторством: Алимов, Н., та інші
Опубліковано: (2009)