Melting and crystallization in layered film system Ge-Bi
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | S. I. Bogatyrenko, N. T. Gladkikh, S. V. Dukarov, A. P. Kryshtal |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2004
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849731 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Morphological structure of Bi/C films in the area of melting temperature
за авторством: L. N. Chepurnaja, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: L. N. Chepurnaja, та інші
Опубліковано: (2007)
Crystallization of the fusible component in Ag/Bi/Ag and Ag/Pb/Ag layered film systems
за авторством: Dukarov, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Dukarov, S.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Overcooling in the crystallization of bismuth in multilayer films Cu-Bi-Cu and C-Bi-C
за авторством: S. V. Dukarov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. V. Dukarov, та інші
Опубліковано: (2013)
About diffusion mixing in Ag-Pd layered film system
за авторством: A. P. Kryshtal, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Kryshtal, та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of the characteristic size on solid-phase solubility in the Ag-Ge film system
за авторством: A. A. Minenkov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. A. Minenkov, та інші
Опубліковано: (2015)
Charge transition phenomena in the heterostructure crystalline Si-Bi-amorphous film Ge₃₃As₁₂Se₅₅
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kondrat, O., та інші
Опубліковано: (2004)
Thermodynamic properties of melts of Bi—Eu system
за авторством: V. S. Sudavtsova, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. S. Sudavtsova, та інші
Опубліковано: (2021)
Radiative recombination in BiI₃(Mn) and BiI₃(Cr) layered single crystals
за авторством: Motsnyi, F.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Motsnyi, F.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Metling point lowering of Bi, In, Pb and Sn films embedded in Al matrix with their thickness reduction
за авторством: S. I. Bogatirenko, та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: S. I. Bogatirenko, та інші
Опубліковано: (2003)
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
за авторством: Claudio, D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Claudio, D., та інші
Опубліковано: (2005)
Melting of polycrystalline lead and bismuth films on amorphous carbon substrates
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. N. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2012)
Comparison of the quality of Bi₁₂GeO₂₀ crystals grown by the conventional and low-temperature-gradient Czochralski techniques
за авторством: Shlegel, V.N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Shlegel, V.N., та інші
Опубліковано: (2010)
Subcooling during crystallization of a Ge-Au eutectic on an amorphous germanium substrate
за авторством: R. V. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: R. V. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2010)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)
In Situ TEM Investigation of Homogenization Kinetics of Polycrystalline Ag—Pd Film System
за авторством: A. P. Kryshtal, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. P. Kryshtal, та інші
Опубліковано: (2014)
Phase Composition and Magnetoresistive Properties of Tree-Layer Fe/Ge/Fe Films
за авторством: O. V. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. V. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Monitoring system of the front of the melt crystallization
за авторством: Adonkin, G.T., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Adonkin, G.T., та інші
Опубліковано: (2012)
In situ research on temperature dependence of the lattice parameters of fusible metals in thin Cu-Pb and Cu-Bi films
за авторством: Dukarov, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Dukarov, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Depth Profiling of the Near-Surface Layer for Ge33as12se55 Thin Films
за авторством: Shchurova, T.N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Shchurova, T.N., та інші
Опубліковано: (2010)
Optical properties of Ge-As-S thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2009)
Temperature dependences and isotherms of galoanomagnetic properties of Bi doped PbTe crystals and thin films
за авторством: Rogacheva, E.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Rogacheva, E.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in Cs₃Bi₂I₉ layered crystals
за авторством: Machulin, V.F., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Machulin, V.F., та інші
Опубліковано: (2004)
Crystal growth of BiVO4 from the K−Bi−V−Mo−O molten system
за авторством: K. L. Bychkov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: K. L. Bychkov, та інші
Опубліковано: (2014)
Investigation of I¹²⁷ NQR spectra of the mixed (BiI₃)₍₁₋n₎ •(PbI₂)n semiconducting layered crystals
за авторством: Gnatenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gnatenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2010)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)
Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi
за авторством: Богатыренко, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Богатыренко, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi
за авторством: Богатыренко, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Богатыренко, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)
Comparative study of Bi-Te-Se-S mineralizations in Slovak Republic and Transcarpathian region of Ukraine. Part 2. Crystal chemistry and genesis of layered Bi-tellurides
за авторством: Melnikov, V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Melnikov, V., та інші
Опубліковано: (2010)
Quantitative parameters of stochastically inhomogeneous structure of amorphous films of Ge–Se system
за авторством: Yu. Bobyk, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yu. Bobyk, та інші
Опубліковано: (2013)
Symmetry peculiarities of the intracrystalline fields layered semiconductor crystals (PbI₂)₍₁₋ₓ₎(BiI₃)ₓ
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of Mn and Cr impurities on quasi-surface exciton states of BiI₃ layered single crystals
за авторством: Dorogan, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dorogan, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)
Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films
за авторством: Plyaka, S.N., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Plyaka, S.N., та інші
Опубліковано: (1999)
Evidence for Griffiths phase in multiferroic BiMnO₃ and BiFe₀.₅Mn₀.₅O₃ films
за авторством: Prokhorov, V.G., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Prokhorov, V.G., та інші
Опубліковано: (2012)
On phase trajectory of dynamic system "directionally crystallized binary melt"
за авторством: Kanishchev, V.M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kanishchev, V.M., та інші
Опубліковано: (2014)
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Tolmachov, I.D., та інші
Опубліковано: (2010)
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: I. D. Tolmachov, та інші
Опубліковано: (2010)
Phase composition and thermoresistive properties of Ge/Fe and Ag/Fe film systems
за авторством: O. V. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. V. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Aspects of crystallization of melt at its cooling
за авторством: V. N. Tsurkin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. N. Tsurkin, та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Morphological structure of Bi/C films in the area of melting temperature
за авторством: L. N. Chepurnaja, та інші
Опубліковано: (2007) -
Crystallization of the fusible component in Ag/Bi/Ag and Ag/Pb/Ag layered film systems
за авторством: Dukarov, S.V., та інші
Опубліковано: (2018) -
Overcooling in the crystallization of bismuth in multilayer films Cu-Bi-Cu and C-Bi-C
за авторством: S. V. Dukarov, та інші
Опубліковано: (2013) -
About diffusion mixing in Ag-Pd layered film system
за авторством: A. P. Kryshtal, та інші
Опубліковано: (2013) -
Influence of the characteristic size on solid-phase solubility in the Ag-Ge film system
за авторством: A. A. Minenkov, та інші
Опубліковано: (2015)