Зображення обкладинки

Formation of atomic composition of A3B5 heterostructures at ionized beam epitaxy

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	V. G. Verbitskij, S. V. Osinskij
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2004
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849734
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Atomic composition calculation of A3V5 graded band structures for white diodes
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2003)

Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006)

HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)

Partial ionization cross-sections of rubidium atom by electron impact
за авторством: V. I. Roman, та інші
Опубліковано: (2015)

Anisotropy of radiation from dense plasma of multiply ionized atoms
за авторством: Hrechko, Ya.O., та інші
Опубліковано: (2015)

Atomic ionization at positron annihilation at T+-decay with taking into account screening
за авторством: S. N. Fedotkin
Опубліковано: (2012)

Autoionizing resonances in three-photon ionization spectrum of the ytterbium atom
за авторством: O. I. Homonai
Опубліковано: (2015)

Autoionizing resonances in three-photon ionization spectrum of the ytterbium atom
за авторством: A. I. Gomonai
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of the PbTe nano-islet formation on BaF₂ substrate at "hot wall" epitaxy method investigated by atomic force microscopy
за авторством: Sheremeta, T.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Epitaxial InGaN nanostructures grown in pores of anodic aluminium oxide on Si
за авторством: G. G. Gorokh, та інші
Опубліковано: (2011)

Formation of neutral atomic beam for dry etching and study its charachteristics
за авторством: A. V. Voznyj, та інші
Опубліковано: (2006)

Ionization of atoms in a strong laser radiation field and the imaginary time method
за авторством: V. M. Ryliuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Ionization of atoms in a strong laser radiation field and the imaginary time method
за авторством: V. M. Rylyuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Modelling of processes of formation of pyramidal structures during epitaxial growth
за авторством: V. O. Kharchenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)

Aging of ZnS:Mn thin - film electroluminescent devices grown by two different atomic-layer epitaxial processes
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Mα X-ray emission spectrum of multi-ionized Au atoms
за авторством: Borovoy, M.O., та інші
Опубліковано: (2006)

Non-linear effects at ionization of hydrogen atoms in the strong pulsed light field
за авторством: Starodub, S.S., та інші
Опубліковано: (2012)

Relaxation of active acoustic emission sources during the natural aging of A³B⁵ epitaxial structures
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Ferromagnetism in Co-doped ZnO films grown by molecular beam epitaxy: magnetic, electrical and microstructural studies
за авторством: V. V. Strelchuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)

The model of clusters formation on the surface of semiconductor crystals of the A3B5 group
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2015)

Three-photon resonance ionization spectroscopy of excited even-parity states of the samarium atom
за авторством: O. I. Homonai, та інші
Опубліковано: (2018)

Three-photon resonance ionization spectroscopy of excited even-parity states of the samarium atom
за авторством: A. I. Gomonai, та інші
Опубліковано: (2018)

Interdiffusion in EuS -based epitaxial superlattice nanostructures
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2013)

POLYMETHYLENE DYES FROM 2-METHYLINDOLO(3,2-B)THIAZOLO(5,4-D)QUINOXALINES HAVING SUBSTITUENTS AT THE NITROGEN ATOM OF THE INDOLE RING
за авторством: Shulga, Sergii, та інші
Опубліковано: (2024)

Quantum electrical capacitance of epitaxial graphene
за авторством: Z. Z. Alisultanov, та інші
Опубліковано: (2015)

Thick layers liquid-phase epitaxy method
за авторством: S. N. Dranchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

The use of high-current relativistic electron beams for the study of the effects of ionizing radiation on materials storage RAW
за авторством: Klepikov, V.F., та інші
Опубліковано: (2016)

Domain structure formation and evolution in epitaxial exchange-biased NiFe films with dislocation slip planes
за авторством: Gornakov, V.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Donor-acceptor interaction in films of tetracene–tetracyanoquinodimethane heterostructures and composites
за авторством: M. P. Horishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Donor-acceptor interaction in films of tetracene–tetracyanoquinodimethane heterostructures and composites
за авторством: M. P. Gorishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Ionic stimulation of receipt the hard solutions InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v for white light diode sources
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2004)

Growth of catalytically active nanostructures in the nonequilibrium epitaxy regime
за авторством: V. M. Horshkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Growth of catalytically active nanostructures in the nonequilibrium epitaxy regime
за авторством: V. M. Gorshkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Синтез 2-(арилгидразоноил)-3-оксо-3-[2-(5Н*тиадиазоло[2,3-b]хиназолин-5-он)]-1-этилпропионатов
за авторством: Лозинский, М.О., та інші
Опубліковано: (2000)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)