Formation of atomic composition of A3B5 heterostructures at ionized beam epitaxy
Збережено в:
Дата: | 2004 |
---|---|
Автори: | V. G. Verbitskij, S. V. Osinskij |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2004
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849734 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Atomic composition calculation of A3V5 graded band structures for white diodes
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2003) -
Obtaining heterostructures with quantium dots for sensors by using liquid phase epitaxy
за авторством: Maronchuk, I.E., та інші
Опубліковано: (2004) -
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
за авторством: Rogozin, I.V.
Опубліковано: (2006) -
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007) -
Partial ionization cross-sections of rubidium atom by electron impact
за авторством: V. I. Roman, та інші
Опубліковано: (2015)