Ionic stimulation of receipt the hard solutions InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v for white light diode sources
Збережено в:
Дата: | 2004 |
---|---|
Автори: | V. G. Verbitskij, S. V. Osinskij, A. V. Sarikov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2004
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849738 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2004) -
Atomic composition calculation of A3V5 graded band structures for white diodes
за авторством: V. G. Verbitskij, та інші
Опубліковано: (2003) -
Luminescence of InxTl1−xI Nanocrystals Embedded in Dielectric Matrixes
за авторством: Franiv, A.V., та інші
Опубліковано: (2008) -
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013) -
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)