Metling point lowering of Bi, In, Pb and Sn films embedded in Al matrix with their thickness reduction
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | S. I. Bogatirenko, N. T. Gladkikh, A. P. Krishtal |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2003
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000849885 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Dependence of electrical conductivity on Bi₂Se₃ thin film thickness
за авторством: Menshikova, S.I., та інші
Опубліковано: (2017) -
Influence of the behavior of charge carriers on the thermoelectric properties of PbTe:Bi thin films
за авторством: L. I. Nikiruj, та інші
Опубліковано: (2018) -
Influence of the behavior of charge carriers on the thermoelectric properties of PbTe:Bi thin films
за авторством: L. I. Nykyrui, та інші
Опубліковано: (2018) -
Понижение температуры плавления с уменьшением толщины плёнок Bi, In, Pb и Sn в Al матрице
за авторством: Богатыренко, С.И., та інші
Опубліковано: (2003) -
Fourier-transform spectroscopy of the persistent photoconductivity in PbSnTe(In) films at low temperatures
за авторством: A. V. Ikonnikov, та інші
Опубліковано: (2019)