Features of autoelectronic emission in the superthin gap of the gas-discharge cell in ionization semi-conductor the chamber
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автор: | 3. X. Khajdarov |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2006
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000855326 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Photoelectric phenomena in the hyperfine (3-20 μm) gap gas discharge with a semiconductor electrode
за авторством: Z. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2015) -
On the possibility of enhancing the photocurrent of a gas discharge plasma in ionization-type imaging converters
за авторством: Sh. S. Kasymov, та інші
Опубліковано: (2010) -
Features of rate of current raise in the load of semi-conductor electro-discharge installations
за авторством: N. I. Suprunovskaja, та інші
Опубліковано: (2017) -
Investigation of a hyperfine gas-discharge cell with a platinum alloy silicon semiconductor electrode
за авторством: Z. Khajdarov
Опубліковано: (2011) -
Fission Ionization Chamber as Reference Source in Neutron Flux Analysis
за авторством: O. A. Kuchmahra, та інші
Опубліковано: (2017)