Зображення обкладинки

Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2006
Автор:	S. V. Dudin
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2006
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000855340
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)

Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Automated system for real-time control of plasma-chemical etching process in ICP
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)

Research and development of technological systems based on high-frequency induction discharge for reactive ion-plasma etching of micro- and nanostructures
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2009)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)

The investigation of luminescence properties of nitride-based heterostructures, containing superlattice
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Experimental research of ICP reactor for plasma-chemical etching
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Optical approach to analysis of interaction of gallium nitride and weak magnetic fields
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of intensive etching processes on structure and properties of carbon nitride films
за авторством: Shalaev, R.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)

Uncooled wide-range spectral optoelectronic devices on the base of HgCdTe semiconductor
за авторством: F. Sizov
Опубліковано: (2015)

Dynamic characteristics of QWIP-HBT-LED optoelectronic integrated devices
за авторством: Eladl, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Investigation High Sensitive Photo Detector Device Based on the Avalanche Photodiode for Optoelectronic Measuring Systems
за авторством: I. A. Braginets, та інші
Опубліковано: (2016)

Ion-plasma nitriding of inner cylindrical surfaces of products
за авторством: I. V. Smyrnov, та інші
Опубліковано: (2022)

Vacuum—Plasma Coatings Based on the Multielement Nitrides
за авторством: N. A. Azarenkov, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of the state of the surface layers on the strength of materials for optoelectronic and sensors devices
за авторством: Maslov, V.P.
Опубліковано: (2008)

Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)

Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
за авторством: V. Osinsky, та інші
Опубліковано: (2010)

Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
за авторством: Osinsky, V., та інші
Опубліковано: (2010)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2012)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)

Modeling of photons trapping effect on the performance of HPT-LED Optoelectronic Integrated Device (OEID)
за авторством: Eladl, Sh.M.
Опубліковано: (2009)

Use of high-thermal conductive aluminum nitride based ceramics in vacuum UHF electronic devices
за авторством: V. I. Chasnyk
Опубліковано: (2013)

Influence of the concentration of components and the size of heaters on the thermal state of a high-pressure cell for studying the solubility of gallium nitride in iron
за авторством: O. P. Liudvichenko, та інші
Опубліковано: (2023)

High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)

Development of a technology for the production of nano-sized heterostructured films by ion-plasma deposition
за авторством: M. T. Normuradov, та інші
Опубліковано: (2023)

Development of deep silicon plasma etching for 3D integration technology
за авторством: A. A. Golishnikov, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
за авторством: Fedorovich, O.A., та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of the plasma chemical etching on the silicon plates surface of photo electric converters
за авторством: B. P. Polozov, та інші
Опубліковано: (2006)

Efficiency of the nitriding process in glow discharge plasma
за авторством: Zhovtyansky, V.A., та інші
Опубліковано: (2011)

Investigation of the surface anisotropy of polycrystalline gallium nitride coating using a tunnel microscope equipped with a tip of a boron-doped diamond
за авторством: M. A. Tsysar
Опубліковано: (2016)

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2009)

TiN coating etching from a surface of the instrument in beam-plasma system
за авторством: Bizyukov, A.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Optoelectronic colorimetric ammonia sensor
за авторством: O. A. Vakhula, та інші
Опубліковано: (2010)