Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автор: | S. V. Dudin |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2006
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000855340 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017) -
Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017) -
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017) -
Automated system for real-time control of plasma-chemical etching process in ICP
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006) -
Research and development of technological systems based on high-frequency induction discharge for reactive ion-plasma etching of micro- and nanostructures
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2009)