Automated system for real-time control of plasma-chemical etching process in ICP
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автор: | S. V. Dudin |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2006
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000855346 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Experimental research of ICP reactor for plasma-chemical etching
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2006) -
Automation of measurements of the rate of thin films chemical etching
за авторством: Іваницький, В. П., та інші
Опубліковано: (2024) -
Spatial distributions of plasma parameters in ICP reactor
за авторством: Dudin, S.V., та інші
Опубліковано: (2010) -
Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006) -
Investigation of the influence of oxygen on the rate and anisotropy of deep etching of silicon in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field
за авторством: V. V. Gladkovskij, та інші
Опубліковано: (2017)