About mechanism of high-voltage photo emf formation in thin slanting deposited films CdTe:Ag by own and admixture absorption
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | Ju. Ju. Vajtkus, Kh. Juldashev, S. M. Otazhonov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2005
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000859380 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Indium admixture influence on photo-voltaic properties of slanting deposited films CdTe
за авторством: M. A. Karimov, та інші
Опубліковано: (2005) -
Lateral photo-emf in Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2010) -
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
за авторством: Вайткус, Ю.Ю., та інші
Опубліковано: (2005) -
Lateral photo-emf in a nonuniform Schottky contact
за авторством: E. F. Venger, та інші
Опубліковано: (2011) -
Photo-enchanced defect reactions in CdS:Ag crystals
за авторством: Khomenkova, L.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)