Research of dependence of the target characteristics of the field transistor
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автор: | D. M. Jodgorova |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2005
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000859382 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Phototransistor composite on field effect transistors
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012) -
Functional characteristics of the field-effect transistor with control pn-junction with different switching modes
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2012) -
Features of the amplifying properties of a field-effect transistor in a circuit with dynamic load
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2015) -
Investigation of the saturation effect of the drain current of a field-effect transistor with series-connected channels
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2012) -
The magnetosensitive transistors
за авторством: L. F. Vikulina
Опубліковано: (1998)