The theory of APV effect with dember mechanisms in semiconductor films
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автор: | G. A. Nabiev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2008
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867761 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
The photo-sensitivity of APV-films in hethero-structures consisting of CDTE-SiO2-Si under action of external electric field
за авторством: S. M. Otazhonov
Опубліковано: (2004) -
Special qualities of photo voltage effect in multy leveled semiconductors with p-n-p-structure with nonsimilar lightning
за авторством: G. A. Nabiev
Опубліковано: (2008) -
Tensoresistive effect in the system of potential barriers in semiconductor films
за авторством: G. Guljamov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Determination of capture levels parameters responsible for photoelectret state in cadmium telluride films
за авторством: G. A. Nabiev
Опубліковано: (2008) -
Light absorption by inhomogeneous semiconductor film
за авторством: Baraban, L., та інші
Опубліковано: (2005)