Photoelectric state without an external polarizing field in homogeneous semiconductors
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автори: | Z. I. Mirzaeva, G. A. Nabiev, K. M. Ergash |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2008
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867764 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Some features of polarization modulation in spectroscopy of optical and photoelectric effects
за авторством: Kondratenko, S.V., та інші
Опубліковано: (2004) -
Investigation of photoelectric and photographic characteristics of a semiconductor photographic system of ionization type
за авторством: Kh. T. Juldashev, та інші
Опубліковано: (2015) -
Modification of photoelectric and electrical properties of III-V semiconductors by pulsed laser irradiation
за авторством: Gnatyuk, V.A., та інші
Опубліковано: (2000) -
Photoelectric phenomena in the hyperfine (3-20 μm) gap gas discharge with a semiconductor electrode
за авторством: Z. Khajdarov, та інші
Опубліковано: (2015) -
The theory of APV effect with dember mechanisms in semiconductor films
за авторством: G. A. Nabiev
Опубліковано: (2008)