Determination of capture levels parameters responsible for photoelectret state in cadmium telluride films
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автор: | G. A. Nabiev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2008
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000867768 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Determination of parameters of cadmium telluride films on silicon by the methods of main angle and multiangular ellipsometry
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2006) -
Electrochemical deposition of cadmium telluride films
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2008) -
Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Optical parameters of the film naturally formed on the surface of cadmium telluride single crystals
за авторством: Odarych, V.A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Pre- and postmelting of cadmium telluride
за авторством: Shcherbak, L.P., та інші
Опубліковано: (1999)