Buchumschlag

The formation of isolating and gettering layers in semiconductors with use of medium energy proton implantation

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2008
Hauptverfasser:	F. F. Komarov, O. V. Milchanin, A. M. Mironov, A. I. Kupchishin
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2008
Schriftenreihe:	Physical surface engineering
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872884
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon
von: A. Misiuk, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
von: V. N. Litvinenko, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Characteristics of gettering process in multicrystalline Si wafers with combined porous Si/Al getters
von: A. Sarikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Ion synthesis of narrow-bandgap A3V5 semiconductor nanocrystals in silicon matrix for optoelectronics systems
von: F. F. Komarov, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Application in a linear proton accelerator of a non-vaporizable Zr(86)-Al(14) getter located inside the chamber of a plasma-ion proton injector for its additional pumping
von: Aksonova, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Enhancing parameters of silicon varactors using laser gettering
von: I. M. Vikulin, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
von: Evtukh, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors
von: I. V. Horichok, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Semiempirical energies of vacancy formation in semiconductors
von: I. V. Horichok, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
von: V. N. Litvinenko, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Improving parameters of planar pulse diode using gettering
von: V. M. Lytvynenko, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Formation of ickel-platinum silicide layer as a barrier Schottky diodes
von: P. V. Kuchinskij, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Composite materials formation for orthopaedic implants
von: Avilov, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Research of formation of apatite-like layer on the surface of glass-ceramic coatings for dental implants
von: Savvova, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Atomic nucleus Coulomb energy and modification of protons
von: Buki, A.Yu.
Veröffentlicht: (2001)

On features of deoxidization of CsI melt with zirconium getter
von: Datsko, Yu.N., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
von: V. A. Pilipenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments
von: Litovchenko, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Investigation of two-proton decay using modified formation probability
von: N. P.Saeed Abdulla, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Formation of multi layer electrospark coatings on iron in the carbonaceous mediums
von: K. M. Khranovska, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Transmutation of radioactive waste on low-energy proton accelerators
von: Migalenya, V.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Influence of plasma treatment on erosion haracteristics and structure of reversible hydrogen getters
von: Borisko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Structure and formation energy of multiple protonated molecular ions of acridine yellow: quantum-chemical calculations
von: Ye. M. Demianenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Energy distributions of protons in D(d, p) reaction
von: O. O. Beliuskina, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
von: V. G. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Two-channel gettering of recombination-active impurity in polycrystalline solar silicon
von: V. H. Lytovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Formation of structural heterogeneity of the near-surface layer of films of iron-yttrium granatos by implantation of Si+ ions
von: B. K. Ostafiichuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Curvature of the diffraction cone of proton-proton elastic scattering at high energies in maximal Pomeron and Odderon model
von: Lengyel, O., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Development of alternatives for accelerating structure in the range of intermediate proton energy
von: Bomko, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Generation of MeV -energy protons in WWER reactor core
von: Gann, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures in semiconductors during ion implantation
von: Ya. M. Olikh
Veröffentlicht: (2013)

Refining of Cd and Zn from interstitial impurities using distillation with a ZrFe getter filter
von: A. I. Kondrik, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Magnetic structure of subsurface layers of single crystalline yttrium-iron garnet films implanted with Si+ ions with various energies
von: Pylypiv, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Magnetic structure of subsurface layers of single crystalline yttrium-iron garnet films implanted with Si+ ions with various energies
von: V. M. Pylypiv, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Propagation of Cylindrical and Spherical Waves in Two-Layer Soil Mediums
von: V. F. Mejsh, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Removability of isolated singularity for solutions of anisotropic porous medium equation with absorption term
von: Shan, M.A.
Veröffentlicht: (2016)

Removability of isolated singularity for solutions of anisotropic porous medium equation with absorption term
von: M. A. Shan
Veröffentlicht: (2016)

Semiconductor properties of nanomolekular layer of DNA
von: V. V. Dzhelali, et al.
Veröffentlicht: (2007)

Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
von: Yu. V. Holtvianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2017)