Effect of pressure on the electrophysical properties of the interface layer of heterocontacts based on layered crystals

Effect of pressure on the electrophysical properties of the interface layer of heterocontacts based on layered crystals

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автор:	M. O. Vorobets
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	2008
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872885
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Effective Elastic Properties of Layered Composite Materials with Defects on Interface Boundary
за авторством: L. P. Khoroshun
Опубліковано: (2019)

Effect of buffer layer of porous silicon carbide on the interface with the oxide layer (review)
за авторством: O. B. Okhrimenko
Опубліковано: (2012)

Excessive Pressure in the Subsurface Layer in a Crystal
за авторством: Karasevskii, A.I., та інші
Опубліковано: (2015)

Excessive Pressure in the Subsurface Layer in a Crystal
за авторством: A. I. Karasevskii, та інші
Опубліковано: (2015)

Structural and energy changes at the cleavage surfaces of In₄Se₃ layered crystals under interface formation
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Effect of argon deposition pressure on the properties of aluminum-doped ZnO films deposited layer-by-layer using magnetron sputtering
за авторством: V. I. Popovych, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of argon deposition pressure on the properties of aluminum-doped ZnO films deposited layer-by-layer using magnetron sputtering
за авторством: V. I. Popovych, та інші
Опубліковано: (2016)

Photoluminescence and electrophysical properties of p-type ZnO layers implanted with V Group elements
за авторством: Kotlyarevsky, M.B., та інші
Опубліковано: (2005)

Active layer – semi-insulating substrate interface effect on GaAs MESFET components
за авторством: Belgat, M., та інші
Опубліковано: (2004)

Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation
за авторством: B. V. Pavlyk, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation
за авторством: B. V. Pavlyk, та інші
Опубліковано: (2013)

X-ray photoelectron spectroscopy of the interface formation on cleavage surfaces of the layered semiconductor In₄Se₃ crystals
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Diffraction of an elastic SH-wave at the interface crack in a rigid junction of the layer and an interface
за авторством: Z. T. Nazarchuk, та інші
Опубліковано: (2011)

The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Dependence of magnetoelectric effect in layered lead zirconate-titanate / nickel heterostructures on the interface type
за авторством: Poddubnaya, N.N., та інші
Опубліковано: (2010)

Method and estimation of parameters of dense part of electrical double layer at the interface electrode-solution of the dye in liquid crystal
за авторством: O. V. Kovalchuk
Опубліковано: (2011)

Method and estimation of parameters of dense part of double electrical layer at the interface electrode-solution of the dye in liquid crystal
за авторством: Kovalchuk, O.V.
Опубліковано: (2011)

Structure and electrical properties of In₂Se₃Mn layered crystals
за авторством: Kaminskii, V.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of thermal neutron irradiation on the electrophysical and photoelectric properties of Hg₀.₈Cd₀.₂Te crystals
за авторством: Virt, I.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)

Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals
за авторством: Chugai, O., та інші
Опубліковано: (2004)

Temperature dependence of electrophysical properties of A4VKh6 crystals
за авторством: A. I. Kashuba, та інші
Опубліковано: (2019)

The influence of hydrogen-charging on the properties of layered crystals of gallium and indium monoselenides
за авторством: O. O. Balytskyi
Опубліковано: (2010)

Electrophysical properties of composites based on the epoxy resin and expanded graphite
за авторством: O. G. Sirenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Electrophysical properties of composites based on nanocrystalline silver sulphide
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Electrophysical properties of composites based on epoxy resin and carbon fillers
за авторством: O. G. Sirenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2016)

Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)

Conformation of linear polymeric chains at the interface layer liquid–solid and adsorption isotherm
за авторством: Ju. G. Medvedevskikh, та інші
Опубліковано: (2014)

Torsion crack in a piecewise homogeneous body with a thin layer at the interface
за авторством: I. S. Zvizlo, та інші
Опубліковано: (2024)

Transition radiation of an electron crossing an interface between a dielectric and a layered superconductor
за авторством: Averkov, Yu.O., та інші
Опубліковано: (2013)

Thermal Effect on the Phase Composition, Electrophysical and Magnetoresistive Properties of Film Systems Based on Co, Fe, and Gd
за авторством: S. I. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2013)

Diffraction of SH-wave at the interface defect in the joint of the elastic layer with a half-space
за авторством: D. B. Kuryliak, та інші
Опубліковано: (2021)

Effective elastic properties of layered composites under imperfect adhesion
за авторством: L. P. Khoroshun, та інші
Опубліковано: (2019)

Base pressure effect on electrical properties of chromium nanofilms
за авторством: L. Shiva, та інші
Опубліковано: (2021)

Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge<As> under the effect of thermal annealings
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2018)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Dynamical behavior of He I-He II interface layer caused by forced heat flow
за авторством: Murakami, M., та інші
Опубліковано: (1998)

Intrinsic dс Josephson effect in naturally layered stacked structures based on BSCCO 2212 single crystal whiskers
за авторством: Latyshev, Yu.I., та інші
Опубліковано: (1996)