Зображення обкладинки

Special qualities of photo voltage effect in multy leveled semiconductors with p-n-p-structure with nonsimilar lightning

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автор:	G. A. Nabiev
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2008
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872893
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Modeling of photo-conversion efficiency for hydrogenated amorphous Si p-i-n structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Computer simulation of lightning overvoltage in high voltage overhead transmission line
за авторством: A. D. Podoltsev
Опубліковано: (2017)

The theory of APV effect with dember mechanisms in semiconductor films
за авторством: G. A. Nabiev
Опубліковано: (2008)

Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
за авторством: U. M. Buzrukov
Опубліковано: (2005)

Model of the grain boundary in p-n-structures based on polycrystalline semiconductors
за авторством: L. O. Olimov
Опубліковано: (2010)

Statistical approach for insulation coordination of high voltage substation exposed to lightning strikes
за авторством: Bedoui, S., та інші
Опубліковано: (2024)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Special Features of Energy Consumption and Quality of Electricity in Low-Voltage Networks of Industrial and Utility Enterprises
за авторством: M. V. Zagirnjak, та інші
Опубліковано: (2016)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p—i—n Si structures by LPE method
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2013)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Photo-thermo-acoustic analysis of heterogeneous semiconductor structures under pulse laser irradiation
за авторством: Burbelo, R., та інші
Опубліковано: (2011)

Photo-thermo-acoustic analysis of heterogeneous semiconductor structures under pulse laser irradiation
за авторством: R. Burbelo, та інші
Опубліковано: (2011)

SECRET OF A BALL LIGHTNING
за авторством: Savich, E. V.
Опубліковано: (2013)

SOME RESULTS OF EXPERIMENTAL RESEARCH ON ARTIFICIAL BALL LIGHTNING LOW-ENERGY PLASMOIDS IN A HIGH-VOLTAGE LABORATORY
за авторством: Baranov, M. I.
Опубліковано: (2013)

A non-destructive method for measuring the depth of occurrence of the p-n junction of semiconductor photoelectric structures
за авторством: R. Aliev, та інші
Опубліковано: (2010)

Features of decomposition of multi-level rectifiers under conditions of the specific limit of the range of output voltage regulation
за авторством: K. O. Lypkivskyi, та інші
Опубліковано: (2022)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: N. P. Tatyanenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Powerful High-Voltage Generators with the Semiconductor Switches
за авторством: N. I. Bojko
Опубліковано: (2014)

Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In)-nCdS-pSi-M(In) structure
за авторством: I. B. Sapaev, та інші
Опубліковано: (2019)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
за авторством: S. I. Krukovskyi, та інші
Опубліковано: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

CALCULATION ESTIMATION OF OVERVOLTAGE ON INSULATION OF THE EQUIPMENT OF A SUBSTATION AT THE LIGHTNING STRIKE IN ITS LIGHTNING ARRESTER
за авторством: Nizhevskyi, I. V., та інші
Опубліковано: (2019)

The inﬂuence of defects and conductivity on the domain structure properties and the memory effect in the ferroelectrics-semiconductors Sn₂P₂Se₆
за авторством: Vysochanskii, Yu.M., та інші
Опубліковано: (1999)

THE METROLOGY SUPPORT IN UKRAINE OF TESTS OF OBJECTS OF ENERGY, AVIATION AND SPACE-ROCKET ENGINEERING ON RESISTIBILITY TO ACTION OF PULSES OF CURRENT (VOLTAGE) OF ARTIFICIAL LIGHTNING AND COMMUTATION PULSES OF VOLTAGE
за авторством: Baranov, M. I., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of the features of the level control of the stabilized voltage on the power of the transforming element of the AC voltage converter
за авторством: K. O. Lypkivskyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
за авторством: Круковський, С.І., та інші
Опубліковано: (2011)

Electrical engineering equipment for generating and measuring of complete pulse current of artificial lightning in the conditions of high-voltage electrophysics laboratory
за авторством: Baranov, M. I., та інші
Опубліковано: (2024)

Specialized Crafting Tools as a Mark of the Handicraft Level at Mokhnach &quot;P&quot; Settlement in the Saltov Times
за авторством: V. V. Koloda
Опубліковано: (2017)

Impact of transmission line lightning performance on an operational substation reliability considering the lightning stroke incidence angle
за авторством: Hamel, T., та інші
Опубліковано: (2025)

Fine time structure of lightnings on Saturn
за авторством: Ju. Milostnaja, та інші
Опубліковано: (2014)

FINE TIME STRUCTURE OF LIGHTNINGS ON SATURN
за авторством: Mylostna, K. Y., та інші
Опубліковано: (2014)

Entanglement of Grassmannian Coherent States for Multi-Partite n-Level Systems
за авторством: Najarbashi, G., та інші
Опубліковано: (2011)

Conference Photos
Опубліковано: (2012)

On the methodology of determining the transverse tensoresistance in multi-valley semiconductors
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2022)

Exciton spectrum in multi-shell hexagonal semiconductor nanotube
за авторством: Makhanets, O.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)