Special qualities of photo voltage effect in multy leveled semiconductors with p-n-p-structure with nonsimilar lightning
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автор: | G. A. Nabiev |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2008
|
Назва видання: | Physical surface engineering |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872893 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Репозиторії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Modeling of photo-conversion efficiency for hydrogenated amorphous Si p-i-n structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2007) -
Computer simulation of lightning overvoltage in high voltage overhead transmission line
за авторством: A. D. Podoltsev
Опубліковано: (2017) -
The theory of APV effect with dember mechanisms in semiconductor films
за авторством: G. A. Nabiev
Опубліковано: (2008) -
Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-structure
за авторством: U. M. Buzrukov
Опубліковано: (2005) -
Statistical approach for insulation coordination of high voltage substation exposed to lightning strikes
за авторством: Bedoui, S., та інші
Опубліковано: (2024)