Distribution of chemical composition depth in Cr-O-N films obtained by the method ion-stimulated deposition
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автор: | A. N. Stervoedov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
2009
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872972 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Computer simulation of transient layer chemical composition in Cr-N films obtained by ion beam assisted deposition
за авторством: Marchenko, I.G., та інші
Опубліковано: (2001) -
Investigation of nitrogen distribution in samples obtained by ion-induced deposition of Cr film on aluminum under nitrogen ions bombardment
за авторством: A. V. Goncharov, та інші
Опубліковано: (2003) -
Stimulated emission of Cr²⁺ ions in ZnS:Cr thin-film electroluminescent structures
за авторством: Vlasenko, N.A., та інші
Опубліковано: (2009) -
CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018) -
Ion-beam deposition of ultrathin metall nitride and oxynitride films process stabilization
за авторством: A. V. Derevjanko, та інші
Опубліковано: (2008)