Зображення обкладинки

Three-barrier photodiodes based on gallium arsenide compounds for optical communication systems

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2009
Автори:	D. M. Jodgorova, A. V. Karimov, B. M. Kamonov, E. N. Jakubov
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2009
Назва видання:	Physical surface engineering
Онлайн доступ:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000872977
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Репозитарії

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Схожі ресурси

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Photoelectric converters based on porous gallium arsenide
за авторством: A. I. Kirilash, та інші
Опубліковано: (2012)

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: M. I. Kliui, та інші
Опубліковано: (2014)

Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals
за авторством: N. I. Klyui, та інші
Опубліковано: (2014)

Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of the effect of potential barriers on mechanisms current transfer in meetings of two-barrier silicon structures
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Highly sensitive photodetector based on ge double-barrier punch-through structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Determination of potential distribution in a three-barrier structure
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Crystal structure of the arsenide HfNiAs
за авторством: O. Zhak
Опубліковано: (2018)

Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)

Communication barriers in negotiation
за авторством: Danilova, E.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)

Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Optical constants of surface layer on gadolinium gallium garnet: ellipsometric study
за авторством: Belyaeva, A.I., та інші
Опубліковано: (1999)

Optical approach to analysis of interaction of gallium nitride and weak magnetic fields
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)

Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Negative photoconductivity and surface-barrier photodiode effect – two interrelated sur-face photoeffects in macroporous silicon
за авторством: N. I. Karas
Опубліковано: (2014)

Sensor of hydrostatic pressure based on gallium antimonide microcrystals
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2015)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Heterostructure infrared photodiodes
за авторством: Rogalski, A.
Опубліковано: (2000)

High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2019)

Alpha particle detector based on micro pixel avalanche photodiodes
за авторством: Ahmadov, F., та інші
Опубліковано: (2013)

Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)

Investigation High Sensitive Photo Detector Device Based on the Avalanche Photodiode for Optoelectronic Measuring Systems
за авторством: I. A. Braginets, та інші
Опубліковано: (2016)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Dobrovolskyi, Yu., та інші
Опубліковано: (2014)

Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm
за авторством: Yu. Dobrovolskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Investigation of the modulation processes of the base area of the silicon p+p-n+-structure
за авторством: D. M. Jodgorova, та інші
Опубліковано: (2013)

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Combined detectors of charged particles based on zinc selenide scintillators and silicon photodiodes
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2001)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)