Cluster formations of conducting quantum structures in single-crystal silicon for solar energy
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автор: | V. P. Efimov |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
2009
|
| Назва видання: | Physical surface engineering |
| Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000873038 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022)
Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Creation of spatial quantum filaments in the volume of monocrystalline silicon by the coulomb explosion
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)
Phototransformers of the energy of solar radiation of a new generation
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)
Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals
за авторством: O. O. Korotchenkov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. O. Korotchenkov, та інші
Опубліковано: (2013)
Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals
за авторством: Korotchenkov, O.O., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Korotchenkov, O.O., та інші
Опубліковано: (2013)
The peculiarity of electric conductance of KDP single crystals
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)
Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Azarenkov, N.А., та інші
Опубліковано: (2016)
The influence of single magnetic impurities on the conductance of quantum microconstrictions
за авторством: Namiranian, A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Namiranian, A., та інші
Опубліковано: (2000)
Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2016)
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2016)
Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kopach, V.R., та інші
Опубліковано: (2007)
Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)
The aggregation of point defetc in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sh. D. Kurmashev, та інші
Опубліковано: (2014)
Investigation of Relaxation Processes in Naturally-Aged Single Crystals of Silicon
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2013)
Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kulyk, S.P., та інші
Опубліковано: (2008)
Electrical potential in silicon crystals, which are used for purposes of solar energetics and microelectronics
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2014)
An influence of gamma-irradiation and ²³⁸U fragments on single-crystal silicon properties
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2006)
Conductivity and photo-induced conductivity of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Conductivity and photo-induced conductivity of two-dimensional macroporous silicon structures
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Anomalous conductivity in ZnSe single crystals by X-ray irradiation
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2012)
Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)
Experimental study of the thermal conductivity of composite materials collectors of solar energy
за авторством: Reztsov, V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Reztsov, V., та інші
Опубліковано: (2016)
Experimental study of the thermal conductivity of composite materials collectors of solar energy
за авторством: V. F. Reztsov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. F. Reztsov, та інші
Опубліковано: (2016)
Cluster morphology silicon's nanoparticle
за авторством: Kovalchuk, V.V.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kovalchuk, V.V.
Опубліковано: (2007)
Polishing of opto-electronic equipment elements from single-crystal silicon carbide
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ju. D. Filatov, та інші
Опубліковано: (2015)
Quantum-chemical simulation of the cluster structure of liquid N-heptanol
за авторством: P. Golub, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. Golub, та інші
Опубліковано: (2012)
Quantum-chemical simulation of the cluster structure of liquid N-heptanol
за авторством: P. Golub, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. Golub, та інші
Опубліковано: (2012)
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)
Formation of Cluster Structures in the Volyn Region.
за авторством: V. P. Leshchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. P. Leshchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Solar cells based on multicrystalline silicon
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Popov, V.G.
Опубліковано: (2000)
Performance improvement of silicon solar cells by nanoporous silicon coating
за авторством: Dzhafarov, T.D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dzhafarov, T.D., та інші
Опубліковано: (2012)
Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
Structural features of doped silicon single crystals
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2022) -
Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006) -
The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006) -
Creation of spatial quantum filaments in the volume of monocrystalline silicon by the coulomb explosion
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010) -
Phototransformers of the energy of solar radiation of a new generation
за авторством: V. P. Efimov
Опубліковано: (2010)