Aspects of using of sheet thermomigration of the Al+Si three-dimensional liquid zone to form semiconductor power devices
Збережено в:
Дата: | 2023 |
---|---|
Автори: | O. S. Polukhin, V. V. Kravchina |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2023
|
Назва видання: | Technology and design in electronic equipment |
Онлайн доступ: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001441047 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Репозитарії
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASСхожі ресурси
-
Electron beam welding of thin-sheet three- dimensional structures of aluminium alloys
за авторством: A. A. Bondarev, та інші
Опубліковано: (2011) -
Uninterruptible Power Suply Devices with Semiconductor Converters
за авторством: O. N. Jurchenko, та інші
Опубліковано: (2014) -
Modelling of temperature conditions in the three-dimensional piecewise homogeneous elements of microelectronic devices
за авторством: V. I. Gavrysh
Опубліковано: (2011) -
Modelling the temperature conditions in three-dimensional piecewise homogeneous elements for microelectronic devices
за авторством: Gavrysh, V.I.
Опубліковано: (2011) -
Three-dimensional rotating viscous flow past a permeable stretching/shrinking sheet with convective boundary condition
за авторством: M. E.H. Hafidzuddin, та інші
Опубліковано: (2023)