Aspects of using of sheet thermomigration of the Al+Si three-dimensional liquid zone to form semiconductor power devices
Saved in:
| Date: | 2023 |
|---|---|
| Main Authors: | O. S. Polukhin, V. V. Kravchina |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
2023
|
| Series: | Technology and design in electronic equipment |
| Online Access: | http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0001441047 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS |
Institution
Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNASSimilar Items
-
Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
by: Polukhin, Оlекsіі, et al.
Published: (2021) -
Особливості застосування листової термоміграції трирозмірної рідкої зони Al+Si для формування напівпровідникових силових приладів
by: Polukhin, Оlекsіі, et al.
Published: (2023) -
Electron beam welding of thin-sheet three- dimensional structures of aluminium alloys
by: A. A. Bondarev, et al.
Published: (2011) -
Uninterruptible Power Suply Devices with Semiconductor Converters
by: O. N. Jurchenko, et al.
Published: (2014) -
Modelling of temperature conditions in the three-dimensional piecewise homogeneous elements of microelectronic devices
by: V. I. Gavrysh
Published: (2011)